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#1 |
数量:5500 |
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| 规格书 |
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| 标准包装 | 500 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 频率 | 880MHz |
| 增益 | 20.2dB |
| 电压 - Test | 28V |
| 当前 Rating | 10µA |
| 噪声系数 | - |
| 当前 - Test | 950mA |
| Power - 输出功率 | 27W |
| 电压 - 额定 | 66V |
| 包/盒 | TO-272BB |
| 供应商器件封装 | TO-272 WB-4 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 5TO-272 WB EP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 66 V |
| 最大门源电压 | -0.5|12 V |
| 工作温度 | -65 to 225 °C |
| 安装 | Screw |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 供应商封装形式 | TO-272 W |
| 标准包装名称 | TO-272 W |
| 最大频率 | 1000 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 225 |
| 输出功率 | 27 |
| Typical Drain Efficiency | 62 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 典型功率增益 | 20.2 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 典型输入电容@ VDS | 350@28V |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大漏源电压 | 66 |
| 引脚数 | 5 |
| 铅形状 | Flat |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 电压 - 额定 | 66V |
| 供应商设备封装 | TO-272 WB-4 |
| 电压 - 测试 | 28V |
| 频率 | 880MHz |
| 增益 | 20.2dB |
| 封装/外壳 | TO-272BB |
| 电流 - 测试 | 950mA |
| 额定电流 | 10µA |
| 功率 - 输出 | 27W |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 源极击穿电压 | - 0.5 V, 12 V |
| 系列 | MRFE6S9125N |
| 单位重量 | 0.067412 oz |
| 输出功率 | 27 W |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | - 0.5 V, 66 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工作温度范围 | -65C to 225C |
| 包装类型 | TO-272 WB EP |
| 元件数 | 1 |
| 筛选等级 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 驻波比（Max ） | 10 |
| 频率（最大） | 1000 MHz |
| 输入电容（典型值） @ VDS | 350@28V pF |
| 输出电容（典型值） @ VDS | 64@28V pF |
| 功率增益（典型值） @ VDS | 20.2/19/20 dB |
| 漏极效率（典型值） | 62 % |
| 反向电容（典型值） | 1.9@28V pF |
| 输出功率（最大） | 27W |
| 漏源电压（最大值） | 66 V |
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